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氮团簇离子注入单晶硅的光致发光谱研究
  • ISSN号:1000-3290
  • 期刊名称:物理学报
  • 时间:0
  • 页码:2174-2178
  • 语言:中文
  • 分类:O472.3[理学—半导体物理;理学—物理] TN304.12[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构:[1]四川大学原子核科学技术研究所辐射物理及技术教育部重点实验室,成都610064, [2]四川师范大学物理与电子工程学院,成都610066
  • 相关基金:国家自然科学基金(批准号:10574095,10675087,10535030)资助的课题.
  • 相关项目:超短超强激光场中大尺度氘团簇的聚变机理的研究
中文摘要:

氮团簇离子N10^+注入单晶硅直接诱发其表层转化为纳米晶结构,导致光学性质发生显著变化.在250-320nm波段的紫外光激励下,在330-500nm光区出现明显的光发射带,并在360nm附近产生强度极高、单色性良好的发射峰,其强度达到N^+注入试样或基底的5倍,是时注入试样的1.5倍.在可见光区的730nm附近和近红外区的830nm附近也出现发光带.所有上述发光都非常稳定,可长时间保持其发光效率不变.这表明注入层已形成一种品质优良的光致发光材料.

英文摘要:

The structure of surface layer of monocrystalline Si by implanting nitrogen cluster ions N10^+ was transformed directly the nanocrystalline, which led to the change in optical properties of monocrystalline Si. Excited by the ultraviolet light of 250-320 nm, the sample showed a clear luminescence band of 330-500 nm and an extra intensive spectral peak with good monochromaticity around 360 nm. The intensity of the peak were 5 times high as the intensity of the substrate or N^+ implantation samples and 1.5 times high at the N2^+ implantation samples, respectively. It was also found there were two other stable luminescence hands around 730 nm in the visible region and around 830 nm in the infrared region, respectively. The preliminary study indicated that an excellent photoluminescence material was formed in the implanted layer.

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期刊信息
  • 《物理学报》
  • 北大核心期刊(2011版)
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国物理学会 中国科学院物理研究所
  • 主编:欧阳钟灿
  • 地址:北京603信箱(中国科学院物理研究所)
  • 邮编:100190
  • 邮箱:apsoffice@iphy.ac.cn
  • 电话:010-82649026
  • 国际标准刊号:ISSN:1000-3290
  • 国内统一刊号:ISSN:11-1958/O4
  • 邮发代号:2-425
  • 获奖情况:
  • 1999年首届国家期刊奖,2000年中科院优秀期刊特等奖,2001年科技期刊最高方阵队双高期刊居中国期刊第12位
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘(网络版),荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国科学引文索引(扩展库),英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:49876