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1.0 mu m gate-length InP-based InGaAs high electron mobility transistors by mental organic chemical
  • ISSN号：2095-2899
  • 期刊名称：JOURNAL OF CENTRAL SOUTH UNIVERSITY
  • 时间：2012.12
  • 页码：3444-3448
  • 相关项目：基于生命初态信息表征的元器件工作寿命预测方法研究
作者： Gao Cheng|Li Hai-ou|Huang Jiao-ying|Diao Sheng-long|
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期刊信息
  • 《中南大学学报：英文版》
  • 主管单位:教育部
  • 主办单位:中南大学
  • 主编：黄伯云
  • 地址：湖南长沙中南大学校本部
  • 邮编：410083
  • 邮箱：jcsu@csu.edu.cn
  • 电话：0731-88836963
  • 国际标准刊号：ISSN：2095-2899
  • 国内统一刊号：ISSN：43-1516/TB
  • 邮发代号:42-316
  • 获奖情况:
  • 2006、2008、2010“中国高校精品科技期刊”2009...
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国剑桥科学文摘,美国科学引文索引（扩展库）,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库
  • 被引量:334