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Epitaxial fabrication and memory effect of ferroelectric LiNbO3 film/AlGaN/GaN heterostructure
  • ISSN号:0003-6951
  • 期刊名称:Applied Physics Letters
  • 时间:0
  • 页码:199-211
  • 语言:英文
  • 相关项目:信息薄膜与LTCC集成器件
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