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Atomic crystals resistive switching memory
  • ISSN号：1674-1056
  • 期刊名称：《中国物理B：英文版》
  • 时间：0
  • 分类：O[理学]
  • 作者机构：State Key Laboratory of ASIC and System, Department of Microelectronics, Fudan University, Shanghai 200433, China
  • 相关基金：Project supported by the National Natural Science Foundation of China （Grant Nos. 61376093 and 61622401） and the National Key Research and Development Program of China （Grant No. 2016YFA0203900）.Acknowledgment The scientific contributions from other groups are acknowledged here.
作者： 刘春森, 张卫, 周鹏
中文摘要：

Corresponding author. E-mail： pengzhou@fudan.edu.cn

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期刊信息
  • 《中国物理B：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国物理学会和中国科学院物理研究所
  • 主编：欧阳钟灿
  • 地址：北京 中关村 中国科学院物理研究所内
  • 邮编：100080
  • 邮箱：
  • 电话：010-82649026 82649519
  • 国际标准刊号：ISSN：1674-1056
  • 国内统一刊号：ISSN：11-5639/O4
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 国内外数据库收录:
  • 被引量:406