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电场变化对有机磷光器件中激子形成影响的研究
  • ISSN号:1000-0593
  • 期刊名称:光谱学与光谱分析
  • 时间:0
  • 页码:2321-2324
  • 语言:中文
  • 分类:O482.3[理学—固体物理;理学—物理]
  • 作者机构:[1]北京交通大学发光与光信息技术教育部重点实验室,北京交通大学光电子技术研究所,北京100044, [2]北京京东方科技集团股份有限公司,北京100016
  • 相关基金:基金项目:国家自然科学基金项目(10774013),教育部博士点基金项目(20070004024),博士点新教师基金项目(20070004031),北京市科技新星计划项目(2007A024),教育部留学回国科研启动基金项目,高等学校学科创新引智计划项目(B08002),第三世界科学院基金项目和北京市教育委员会学科建设与研究生建设项目资助
  • 相关项目:固态阴极射线发光效率的深层次表征及提高
中文摘要:

激子形成区域随电场变化的移动会使得有机电致发光器件(OLEDs)的效率和色度发生改变,从而影响器件的性能。文章首先制备了两种OLED器件,器件1为ITO/PEDOT:PSS/PVK:Ir(ppy)3:DCJTB(100:2:1wt)/BCP(10nm)/Alq3(15nm)/A1,器件2为ITO/PEDOT:PSS/PvI(:Ir(PPY)3(100:2wt)/BCP(10nm)/Alq。(15nm)/Al,研究了电场强度对单层多掺杂结构器件激子形成的影响。实验发现在多掺杂发光层中,随着电压的增加,Ir(pPy)s,PVK和DCJTB的发光均增强,PVK和DCJTB发光增强更快。对其发光机制进行分析,认为较高电场下,载流子获得较高能量,更容易形成高能量激子,产生宽禁带材料PVK的发光;另一方面,从能级结构分析IX;JTB的带隙较窄,俘获更多的载流子发光更强。同时,在器件的电致发光(EL)光谱发现在460nm处一新的发射峰,发光随着电压的增大相对减弱。为了研究460nm发光的来源,制备了器件:ITO/PEDOT:PSS/PVK:BCP:Ir(ppy)3(x:y:2wt)/Alq3(15nm)/Al,改变x,y的比值研究发现,460nm处的发光依然存在,推测此发光峰应与PVK及BCP之间有关。

英文摘要:

The changes of exciton generation region are influenced by varying electric field, which affect the color and efficiency performance of devices. Firstly, The authors fabricated two types of phosphorescent light emitting devices, device 1 : ITO/PE- DOT : PSS/PVK : Ir(ppy)3 : DCJTB (100 : 2 : 1 wt)/ BCP(10 nm)/Alq3 (15 nm)/Al, and device 2: ITO/PEDOT : PSS/ PVK : Ir(ppy)3 (100 : 2 wt)/BCP (10 nm)/Alq3 (15 nm)/Al. The authors investigated the influences of electric field on exciton generation region in single-layer and multi-doped structure devices. Analysis of the electroluminescence spectrum under different voltages indicates that the emitting of Ir(ppy)3, PVK and DCJTB was enhanced with the increase in applied voltages. Compared to Ir(ppy)3, the emitting of PVK and DCJTB was prominently enhanced. This is because under high electric field it is easier for high energy carrier to generate high energy exciton, and the emitting of wide-band-gap material PVK is stronger;on the other hand, the authors investigated the results from the aspect of energy band gap. DCJTB is narrow-band-gap material, which can capture carrier comparatively easily and emit stronger light. At the same time, we obtained a new emission peak located at 460 nm, which becomes comparatively weak with increasing voltage. In order to explore the reason, we fabricated the device: ITO/ PEDOT : PSS/PVK : BCP : Ir(ppy)3 (x :y : 2 wt)/Alq3 (15 nm)/Al. The 460 nm emission peak doesn't disappear by changing the mass ratio of x and y. The authors speculate that the emission peak relates to PVK and BCP.

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期刊信息
  • 《光谱学与光谱分析》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学技术协会
  • 主办单位:中国光学学会
  • 主编:高松
  • 地址:北京海淀区魏公村学院南路76号
  • 邮编:100081
  • 邮箱:chngpxygpfx@vip.sina.com
  • 电话:010-62181070
  • 国际标准刊号:ISSN:1000-0593
  • 国内统一刊号:ISSN:11-2200/O4
  • 邮发代号:82-68
  • 获奖情况:
  • 1992年北京出版局编辑质量奖,1996年中国科协优秀科技期刊奖,1997-2000获中国科协择优支持基础性高科技学术期刊奖
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘(网络版),荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国生物医学检索系统,美国科学引文索引(扩展库),英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),英国英国皇家化学学会文摘,中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:40642