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Characteristics of GaN grown on 6H-SiC with different AIN buffers
  • ISSN号：1674-4926
  • 期刊名称：《半导体学报：英文版》
  • 时间：0
  • 分类：TN304.23[电子电信—物理电子学] TQ133.1[化学工程—无机化工]
  • 作者机构：[1]Beijing National Laboratory of Condensed Matter Physics, Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China
  • 相关基金：Project supported by the National Natural Science Foundation of China （No. 10574148）, the National High-Tech Research and Develop- ment Program of China （Nos. 2006AA03A106, 2006AA03A107）, and the State Key Development Program for Basic Research of China （No. 2006CB921300）.
作者： 丁国建, 郭丽伟, 邢志刚, 陈耀, 徐培强, 贾海强, 周均铭, 陈弘
关键词： GaN薄膜, 纳米氮化铝, 生长特性, 缓冲区, SiC, 氮化镓薄膜, 表面形貌, AIN, GaN, A1N, XRD, MOCVD
中文摘要：

Corresponding author. Email： dingguojian@126.com

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期刊信息
  • 《半导体学报：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国电子学会 中国科学院半导体研究所
  • 主编：李树深
  • 地址：北京912信箱
  • 邮编：100083
  • 邮箱：cjs@semi.ac.cn
  • 电话：010-82304277
  • 国际标准刊号：ISSN：1674-4926
  • 国内统一刊号：ISSN：11-5781/TN
  • 邮发代号:2-184
  • 获奖情况:
  • 90年获中科院优秀期刊二等奖,92年获国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署...,97年国家科委、中共中央中宣传部和国家新出版署三等奖,中国期刊方阵“双效”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,英国英国皇家化学学会文摘,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:7754