位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
 First-Principles study of the adsorption and diffusion of O2 a Si(001) surface.
  • ISSN号：0218-625X
  • 期刊名称：Surface Review and Letters
  • 时间：2011.12
  • 页码：315-321
  • 相关项目：GaN表面缺陷诱导ABO3薄膜生长机理研究
作者： Chun Yang,|Chong Yang|Ping Huang|Xiao Qin Li|
同期刊论文项目
GaN表面缺陷诱导ABO3薄膜生长机理研究
期刊论文 18 会议论文 1
同项目期刊论文
TiO2分子在GaN（0001）表面吸附的理论研究
Si（0001）表面O2扩散的第一原理研究
BaTiO3和SrTiO3薄膜生长初期化学分子反应机理.
GaN(0001)表面吸附TiO2的DFT研究
金原子掺杂的碳纳米管吸附CO气体的密度泛函理论研究
A density functional theory study of absorption behavior of CO on Au-doped single-walled carbon nano
FIRST-PRINCIPLES STUDY OF THE ADSORPTION AND DIFFUSION OF O-2 ON A Si(001) SURFACE
SrO分子在GaN(0001)表面吸附的密度泛函理论研究
AlN/Al_2O_3(0001)薄膜生长与吸附的表面界面结构研究
 TiO2分子在GaN(0001)表面吸附的理论研究.
A DFT Study of TiO2 Adsorption on Gan(0001) Line Defect Surface. 
 First-principles calculations of the formation and structures of point defects on GaN (000
Theoretical study of the reaction mechanism Ba, Ti, O in the early growth of BTO thin films.
A DFT study of STO adsorption on GaN (0 0 0 1) surface
Nd doping effects on the multifunction properties of BiFeO3. MaterialsResearch Innovations
温度对GaN（0001）表面吸附生长TiO2分子的影响
AlN/Al2O3（0001）薄膜生长与吸附的表面界面结构研究