欢迎您!
东篱公司
退出
申报数据库
申报指南
立项数据库
成果数据库
期刊论文
会议论文
著 作
专 利
项目获奖数据库
位置:
成果数据库
>
期刊
> 期刊详情页
Si(0001)表面O2扩散的第一原理研究
ISSN号:0218-625X
期刊名称:Surface Review and Letters
时间:2011.12.31
页码:315-32120-
相关项目:GaN表面缺陷诱导ABO3薄膜生长机理研究
作者:
杨春|杨冲|黄平|梁晓琴|
同期刊论文项目
GaN表面缺陷诱导ABO3薄膜生长机理研究
期刊论文 18
会议论文 1
同项目期刊论文
TiO2分子在GaN(0001)表面吸附的理论研究
BaTiO3和SrTiO3薄膜生长初期化学分子反应机理.
GaN(0001)表面吸附TiO2的DFT研究
金原子掺杂的碳纳米管吸附CO气体的密度泛函理论研究
A density functional theory study of absorption behavior of CO on Au-doped single-walled carbon nano
FIRST-PRINCIPLES STUDY OF THE ADSORPTION AND DIFFUSION OF O-2 ON A Si(001) SURFACE
SrO分子在GaN(0001)表面吸附的密度泛函理论研究
AlN/Al_2O_3(0001)薄膜生长与吸附的表面界面结构研究
TiO2分子在GaN(0001)表面吸附的理论研究.
First-Principles study of the adsorption and diffusion of O2 a Si(001) surface.
A DFT Study of TiO2 Adsorption on Gan(0001) Line Defect Surface.
First-principles calculations of the formation and structures of point defects on GaN (000
Theoretical study of the reaction mechanism Ba, Ti, O in the early growth of BTO thin films.
A DFT study of STO adsorption on GaN (0 0 0 1) surface
Nd doping effects on the multifunction properties of BiFeO3. MaterialsResearch Innovations
温度对GaN(0001)表面吸附生长TiO2分子的影响
AlN/Al2O3(0001)薄膜生长与吸附的表面界面结构研究