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Biaxial and uniaxial strain effects on the ultraviolet emission efficiencies of Al(x)Ga(1-x)N films
  • ISSN号：0021-8979
  • 期刊名称：Journal of Applied Physics
  • 时间：0
  • 页码：103107-1-103107-6
  • 相关项目：III族氮化物半导体微腔结构中激子极化激元和受激辐射研究
作者： Fu, D. Y.|Zhang, R.|Wang, B. G.|Liu, B.|Xie, Z. L.|Xiu, X. Q.|Lu, H.|Zheng, Y. D.|Edwards, G.|
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III族氮化物半导体微腔结构中激子极化激元和受激辐射研究
期刊论文 37 会议论文 2 专利 4
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