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Influence of the electronic states anisotropy on the band gap pressure coefficient of In(x)Ga(1-x)N
  • ISSN号：0021-8979
  • 期刊名称：Journal of Applied Physics
  • 时间：0
  • 页码：113511-1-113511-4
  • 语言：英文
  • 相关项目：III-V族半导体多壳层同轴纳米线的光伏特性研究
作者： Ni, J.|Shi, L.|Xu, K.|Yang, H.|Xiong, K. L.|
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