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中文摘要：
用从头计算方法总能理论研究了6H—SiC（0001）（√3×√3）R30°衬底上生长的GaN薄膜的界面结构特性．计算结果表明：GaN膜为Ga极性的纤锌矿结构；6H—SiC（0001）衬底表面台阶引起的GaN岛合并在薄膜中产生边界堆垛失配（SMBs），而这种SMBs缺陷随着薄膜生长厚度的增加可以消除．
英文摘要：
Ab initio total energy calculations are performed to determine the interface structure of GaN films grown on the 6H-SiC（0001） （√3×√3）R30° substrate. The results show that the GaN film is of the wurtzite structure and has the Ga-polarity. It is also shown that stacking mismatch boundaries （SMBs） caused by the coalescence of GaN islands grown on stepped terraces of the 6H--SiC（0001） surface may be removed by stacking faults as the _ lm grows.
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