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氧化物稀磁半导体的研究进展
  • ISSN号:1000-0542
  • 期刊名称:物理学进展
  • 时间:2012.8.15
  • 页码:199-232
  • 分类:O472.5[理学—半导体物理;理学—物理] O472.4[理学—半导体物理;理学—物理]
  • 作者机构:[1]山西师范大学化学与材料科学学院,磁性分子与磁信息材料教育部重点实验室,临汾041004
  • 相关基金:国家自然科学基金项目(51025101,51101095,11104173); 教育部博士点基金项目(20101404120002); 山西省各类基金项目(2011021021-1,2011021021-2,晋教科函[2010]20号,晋留管办发[2010]14号)的共同支持
  • 相关项目:金属磁性薄膜材料
中文摘要:

稀磁半导体是一种能同时利用电子的电荷和自旋属性,并兼具铁磁性能和半导体性能的自旋电子学材料。本文主要介绍ZnO、In2O3等氧化物稀磁半导体的研究进展,一是从实验角度介绍其制备、结构、磁性、电输运性质等特性;二是从理论角度对其磁交换能、电子结构、居里温度和磁性产生的机制进行阐述;三是在稀磁半导体的基础上进一步延伸,介绍其相关的异质结构的磁电阻效应,并在文章的最后对氧化物稀磁半导体的研究进行总结和展望。

英文摘要:

Diluted magnetic semiconductors(DMSs) are a kind of spin electronics materials in which the charge and spin degrees of electrons are utilized simultaneously to achieve both semiconducting and magnetic properties.In this article,we review the research progress in ZnO and In 2 O 3 oxidebased DMSs.First,we present the preparation,structure,magnetism and transport of these materials from the viewpoint of experiment.Second,we evaluate the magnetic coupling energy,electronic structure,Curie temperature,and magnetism mechanism from theoretical view.In addition,we highlight the magnetoresistive effect in their related heterogeneous structures and also give an overview and outlook on oxide-base diluted magnetic semiconductors.

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期刊信息
  • 《物理学进展》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学技术协会
  • 主办单位:中国物理学会
  • 主编:邢定钰
  • 地址:南京市南京大学
  • 邮编:210093
  • 邮箱:wlxjz@nju.edu.cn
  • 电话:025-83592484
  • 国际标准刊号:ISSN:1000-0542
  • 国内统一刊号:ISSN:32-1127/O4
  • 邮发代号:28-55
  • 获奖情况:
  • 国内外数据库收录:
  • 美国数学评论(网络版),日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:3182