中文摘要：

本文报道了在东太平洋表层沉积物中发现的天然GaN晶体，这是天然GaN晶体在自然界中首次被发现．天然GaN晶体的确定是通过透射电子显微镜（TEM），能量损失谱（EELS）和X射线能谱（EDS）等综合微束分析技术完成的．该天然GaN晶体属于六方晶系，晶胞参数为：a=b=0．3186nm；c=0．5178nm，P6 3mc，其结构与高温高压实验合成的人造GaN晶体结构完全吻合．在TEM下，该GaN晶体呈现完好的晶体形态，可以排除它们是异地搬运的人工合成的产物．由于发现GaN的站位位于东太平洋CC区（克拉里昂断裂带-克利帕顿断裂带之间），区内发育有断裂构造，受到火山作用和热液活动影响，推测其成因可能与热液活动或深部的高温、高压作用有关，但其形成的确切温压条件和地质环境尚需进一步深入研究．