位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
稀土元素Gd掺杂GaN的电子结构和磁学性质研究
  • ISSN号：1007-2373
  • 期刊名称：河北工业大学学报
  • 时间：2013
  • 页码：58-63
  • 分类：O474[理学—半导体物理;理学—物理]
  • 作者机构：[1]河北工业大学材料科学与工程学院
  • 相关基金：国家自然科学基金(11204064)
  • 相关项目：几何阻挫磁系统的磁序态和"磁单极"研究
作者： 王美娜|李倩倩|李英|
关键词： 稀土掺杂, 密度泛函理论, GAN, 电子结构, 磁性
中文摘要：

采用基于密度泛函理论(DFT)结合投影缀加平面波(PAW)的方法,通过VASP软件包计算研究了稀土元素Gd掺杂GaN的晶格参数、形成能、电子态密度、能带结构和磁学性质.计算过程中将稀土元素Gd的4f电子计入价电子,采用LSDA+U方法处理4f电子的强关联效应.计算结果表明:Gd原子之间的耦合是反铁磁性的,当有足够的空穴载流子存在时能够稳定铁磁相;Ga空位虽然能够提供空穴稳定铁磁相,但是由于在p型GaN中Ga空位的形成能较高而难以形成;而间隙N缺陷和间隙O缺陷的形成能较低,能够稳定GaN∶Gd体系的铁磁相并且能够分别引入1μB和2μB的磁矩,因此认为间隙N和O可能是巨大磁矩的来源.

同期刊论文项目
几何阻挫磁系统的磁序态和"磁单极"研究
期刊论文 13
同项目期刊论文
Spin and orbital magnetic moments and spin anisotropy energies of light rare earth atoms embedded in
Giant Electroresistance induce by electric current in epitaxial tin films of Pr0.7Sr0.3MnO3
Three-Dimensional Topological Insulators: The case of Quaternary Heusler compounds
Three-dimensional topological insulators: case of quaternary Heusler compounds
The Magnetic Properties of Closely Spaced Three-DimensionalNanomagnet Array
First principle study of Ce doping and related complexes in GaN
Ga空位对GaN：Gd体系磁性影响的第一性原理研究
正交多铁性材料DyMnO3的磁性质研究
过渡金属掺杂GaN的电子结构和光学性质理论研究
Thermodynamic and magnetic properties in two artificial frustrated lattices
Theory study of rare earth (Ce, Pr) doped GaN in electronic structrue and optical property
正交多铁性材料DyMnO3 的磁性质研究
期刊信息
  • 《河北工业大学学报》
  • 北大核心期刊（2011版）
  • 主管单位:河北省教育厅
  • 主办单位:河北工业大学
  • 主编：郭士杰
  • 地址：天津市北辰区双口镇西平道5340号
  • 邮编：300401
  • 邮箱：xuebao@hebut.edu.cn
  • 电话：022-60438311
  • 国际标准刊号：ISSN：1007-2373
  • 国内统一刊号：ISSN：13-1208/T
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 1999年河北省高校学报“三优”评比优秀学报一等奖,2000年河北省优秀科技期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘（网络版）,德国数学文摘,美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）
  • 被引量:6302