位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
Analysis of GaN cap layer effecting on critical voltage for electrical degradation of AlGaN/GaN HEMT
  • ISSN号：1286-0042
  • 期刊名称：The European Physical Journal - Applied Physics
  • 时间：2014.10
  • 页码：-
  • 相关项目：氮化镓基微纳等离子体波场效应晶体管
作者： Peng, Enchao|Kang, He|Wang, Zhanguo|Hou, Xun|
同期刊论文项目
氮化镓基微纳等离子体波场效应晶体管
期刊论文 5
同项目期刊论文
A Novel Multi-Finger Gate Structure of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor