中文摘要：

采用磁控溅射的方法，在高真空条件下，沉积金属Fe到Si（100）衬底上，然后通过真空退火炉在不同温度条件下对样品进行热处理，直接形成了β-FeSi2薄膜．采用X射线衍射仪（XRD）对样品进行了晶体结构分析，利用卢瑟福背散射（RBS）对Fe-Si化合物的形成过程中的Fe原子和Si原子的互扩散机理进行了研究，利用扫描电镜（SEM）对样品表面的显微结构进行表征，结果表明，在900℃条件下退火能够得到质量很好的β-FeSi2薄膜，超过这一温度β相将开始向α相转化，到1000℃，β-FeSi2全部转化为α-FeSi2。

英文摘要：

In this paper, Fe films were deposited on Si （100） substrates by magnetron sputtering method, then annealed at the temperature range of 600℃ to 1000℃ for 2h. The samples were analyzed by X-ray diffraction （XRD）, scanning electron microscope （SEM） and Rutherford backscattering （RBS）. The results show that the film with best microstructure and crystal properties is obtained at the annealing temperature of 900℃ for 2h. The β-FeSi2 phase will begin to transform into α-FeSi2 phase when the temperature above 900℃ and there is only α-FeSi2 at the temperature of 1000℃.