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半绝缘GaAs倍频效应的研究

期刊名称：红外与激光工程，36（增刊）110-113，2007
时间：0
分类：O437[机械工程—光学工程;理学—光学;理学—物理] O472[理学—半导体物理;理学—物理]
作者机构：[1]吉林大学电子科学与工程学院,吉林,长春,130012 吉林大学电子科学与工程学院,吉林,长春,130012 吉林大学电子科学与工程学院,吉林,长春,130012 吉林大学电子科学与工程学院,吉林,长春,130012
相关基金：国家自然科学基金资助项目(60476027)作者筒介:刘秀环(1968-),吉林长春人,女,博士生,主要从事半导体非线性光学和光电性质研究工作.Email:xhliu@jlu.edu.cn
相关项目：球型硅双光子响应光电探测器研究

中文摘要：

理论研究了GaAs的倍频效应,当基频光电场的偏振方向沿[111]方向时,倍频效应最显著;当基频光垂直于半球形GaAs样品的(001)底面入射时,产生的二次谐波沿(001)面传播.首次从光电流随基频光偏振方向的变化这一角度验证了波长为1.3μm的基频光沿GaAs晶体的[001]方向入射时的倍频吸收各向异性理论;实验测得了样品的光电流随外加偏压的非线性变化关系,实验中没有观察到光电流随外加偏压的增加而饱和的现象,进一步证明了GaAs样品中产生了倍频吸收.

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