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图案化ZnO纳米线阵列制备与应用的研究进展
  • ISSN号:1005-023X
  • 期刊名称:材料导报
  • 时间:2013.8
  • 页码:125-131
  • 分类:TB321[一般工业技术—材料科学与工程]
  • 作者机构:[1]广东工业大学轻工化工学院,广州510006
  • 相关基金:国家自然科学基金(51273048;51203025);广东省自然科学基金(S2012040007725);广东高校创新人才培育计划(育苗工程)项目(2012LYM_0059);广东省绿色化学产品技术重点实验室开放基金(GC201103)
  • 相关项目:嵌段共聚物自组装可控制备高密度超细纳米线有序阵列的研究
中文摘要:

综述了多种图案化制备ZnO纳米线阵列的技术,包括电子束光刻技术、纳米球蚀刻技术、激光干涉光刻技术、纳米压印技术和嵌段共聚物蚀刻技术等。介绍了图案化ZnO纳米线阵列在传感器、太阳能电池和UV检测器等功能器件中的应用进展,分析了图案化ZnO纳米线阵列制备与应用中的优点、意义及存在的问题,并展望了其未来发展趋势。

英文摘要:

Various patterning technologies of ZnO nanowire arrays, such as electron beam lithography, nano- sphere lithography, laser interferometric lithography, nanoimprint lithography and block copolymer nanolithography, are reviewed. And the applications of patterned ZnO nanowire arrays in functional devices, such as sensors, UV de- tectors and solar cells, etc, are introduced. The advantages, values and problems in the preparation and application of patterned ZnO nanowire arrays are analyzed, and its development trend is previewed.

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期刊信息
  • 《材料导报:纳米与新材料专辑》
  • 主管单位:重庆西南信息有限公司(原科技部西南信息中心)
  • 主办单位:重庆西南信息有限公司(原科技部西南信息中心)
  • 主编:
  • 地址:重庆市渝北区洪湖西路18号
  • 邮编:401121
  • 邮箱:matreved@163.com
  • 电话:023-67398525
  • 国际标准刊号:ISSN:1005-023X
  • 国内统一刊号:ISSN:50-1078/TB
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 国内外数据库收录:
  • 被引量:3397