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Accelerated oxygen precipitation in fast neutron irradiated Czochralski silicon
  • ISSN号：1674-1056
  • 期刊名称：《中国物理B：英文版》
  • 时间：0
  • 分类：TN304.12[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构：[1]School of Materials Science and Engineering, Hebei University of Technology, Tianjin 300130, China, [2]School of Information and Communication, Tianjin Polytechnic University, Tianjin 300160, China, [3]China Institute of Atomic Energy, Beijing 102413, China
  • 相关基金：Project（50472034） supported by the National Natural Science Foundation of China; Project（E2005000048） supported by the Natural Science Foundation of Hebei Province, China; Project（20050080006） supported by Program of Higher Education, China.
作者： 马巧云[1], 李养贤[1], 陈贵锋[1], 杨帅[1], 刘丽丽[1], 牛萍娟[2], 陈东风[3], 李洪涛[3]
关键词： 快中子辐照直拉硅, A心, FTIR, 退火行为, 空穴, Czochralski silicon, neutron irradiation, A-center, FTIR
中文摘要：

Corresponding author： LI Yang-xian, Tel： ＋86-22-26582214; E-mail：admat@jsmail.hebut.edu.cn

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期刊信息
  • 《中国物理B：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国物理学会和中国科学院物理研究所
  • 主编：欧阳钟灿
  • 地址：北京 中关村 中国科学院物理研究所内
  • 邮编：100080
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  • 电话：010-82649026 82649519
  • 国际标准刊号：ISSN：1674-1056
  • 国内统一刊号：ISSN：11-5639/O4
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  • 获奖情况:
  • 国内外数据库收录:
  • 被引量:406