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SiC epitaxial layers grown by chemical vapour deposition and the fabrication of Schottky barrier diodes
  • ISSN号：1674-1056
  • 期刊名称：《中国物理B：英文版》
  • 时间：0
  • 分类：TN311.7[电子电信—物理电子学] TN304.12[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构：[1]School of Microelectronics, Xidian University Key Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, Xi'an 710071, China
  • 相关基金：Project supported by the National Natural Science Foundation of China （Grant No. 60876061）, 13115 Innovation Engineering Program （Grant No. 2008ZDKG-30） and the Advanced Research Program （Grant No. 51308040302）.
作者： 王悦湖[1], 张义门[1], 张玉明[1], 张林[1], 贾仁需[1], 陈达[1]
关键词： 肖特基势垒二极管, 热壁化学气相沉积, 硅外延层, 傅里叶变换红外光谱, 扫描电子显微镜, 碳化, 原子力显微镜, 肖特基二极管, 4H-silicon carbide, low pressure horizontal hot-wall chemical vapour deposition, atomic force microscope, scanning electron microscopy
中文摘要：

Corresponding author. E-mail： wangyh@mail.xidian.edu.cn

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期刊信息
  • 《中国物理B：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国物理学会和中国科学院物理研究所
  • 主编：欧阳钟灿
  • 地址：北京 中关村 中国科学院物理研究所内
  • 邮编：100080
  • 邮箱：
  • 电话：010-82649026 82649519
  • 国际标准刊号：ISSN：1674-1056
  • 国内统一刊号：ISSN：11-5639/O4
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 国内外数据库收录:
  • 被引量:406