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介孔SiO2薄膜孔结构的慢正电子技术表征
  • 期刊名称:物理学报,58(12)(2009), 378-383
  • 时间:0
  • 分类:O484.1[理学—固体物理;理学—物理] TQ127.2[化学工程—无机化工]
  • 作者机构:[1]郑州大学物理工程学院,郑州450001, [2]中国科学院高能物理研究所核分析技术重点实验室,北京100049
  • 相关基金:国家自然科学基金(批准号:10835006;60606011;10705031)资助的课题
  • 相关项目:多孔low-k薄膜材料的新型表征技术
中文摘要:

通过蒸发诱导自组装技术制备了具有不同有序结构的介孔SiO2薄膜,并采用同步辐射X射线反射率以及慢正电子束流技术对其进行表征.实验结果表明,随着旋涂速率的增加,介孔结构由三维立方向二维六角结构转变,同时平均孔隙率随转速增加而减小.利用各向同性无机孔收缩模型和Fourier变换红外光谱,探讨了薄膜结构和正电子湮没参数的内在联系.

英文摘要:

Mesoporous silica thin films with different pore shapes were prepared by evaporation induced self-assembly method. The synchrotron radiation x-ray reflectivity and slow positron annihilation techniques were used to characterize the pore structures. The results indicated that with increase of the spin-coating speed,the pore structure transformed from 3-D cubic to 2-D hexagonal,the average porosity also decreased. The correlation of the film structures and positron annihilation parameters was songht for with FT-IR spectroscopy and isotropic inorganic pore contraction model.

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