室温下在Eu2+掺杂的BaBrCl中,发现经X射线辐照后的光激励发光(PSL).光激励谱和差吸收谱(DAS)基本相同,均为峰值波长位于550和675nm处的宽带谱,表明经X射线辐照后F心形成.这使得用半导体激光器代替气体激光器作为读出光源成为可能.PSL强度与X射线辐照剂量呈线性关系,转化效率为BaFBr:Eu富士IP板的29%.