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Thermal analysis of AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors by infrared microscopy
  • ISSN号：0030-4018
  • 期刊名称：Optics Communications
  • 时间：2013
  • 页码：104-109
  • 相关项目：AlGaN/GaN HEMT低频噪声与器件可靠性相关性的研究
作者： Zhao, Miao|Liu, Xinyu|Zheng, Yingkui|Peng, Mingzeng|Ouyang, Sihua|Li, Yankui|Wei, Ke|
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