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中文摘要：
采用电泳沉积法在Si（111）衬底上制备出了GaN薄膜。用X射线衍射（XRD）、傅立叶红外吸收（FTIR）谱、X射线光电子能谱（XPS）和扫描电镜（SEM）对样品的结构、组分和形貌进行了分析。结果显示所得样品为六方纤锌矿结构的GaN多晶薄膜。
英文摘要：
GaN thin films were prepared on Si（111） suhstrates by eleetrophoretie deposition （EPD） technique. Measurement results by X-ray diffraction （XRD）, Fourier transform infrared （FTIR） spectroscopy and X-ray photoelectron spectroscopy （XPS） indicate that the polycrystalline GaN films with hexagonal wurtzite structure were successfully grown on the Si（111） substrates. The surface morphology of the as-prepared GaN films was examined by scanning electron microscopy （SEM）.
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