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基于0.8μm BCD工艺的20W×2集成D类音频功放设计
  • ISSN号:1674-4926
  • 期刊名称:《半导体学报:英文版》
  • 时间:0
  • 分类:TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]
  • 作者机构:[1]西安电子科技大学微电子学院,西安710071, [2]宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安710071
  • 相关基金:国家自然科学基金(批准号:60476046,60676009)、教育部博士点基金(批准号:20050701015)和国家杰出青年科学基金(批准号:60725415)资助项目 致谢 本论文得到了西安民展微电子有限公司员工郑浩、雷晗等人的支持,在此特别感谢.
中文摘要:

基于0.8μm BCD工艺完成了一种具有高转换效率的20W×2立体声集成音频功率放大器.该放大器可在18V电源电压下以全桥输出的方式向8n负载提供超过20W的功率,其转换效率可达85%以上.介绍了功率输出级、过流保护电路以及高性能轨.轨比较器的设计,并基于横向双扩散MOSFET器件结构讨论了功率输出器件寄生效应对输出电压波形失真的影响.最后给出了所设计的D类音频功率放大器的测试结果.

英文摘要:

This paper presents a 20W × 2 class-D audio power amplifier with high efficiency in a 0.8μm BCDMOS process. The ampli- fier is capable of driving 2 × 80 loads from a 18V power supply at more than 85% power efficiency,and its maximum output power is more than 20W × 2. The circuit detail of the output stage,over-current protection,and rail-to-rail comparator are also presented. Through analysis of the LDMOSFET cross section, the impact of the parasitical effect on the distortion of the output is discussed. Finally, the experimental results of this work are presented.

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期刊信息
  • 《半导体学报:英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国电子学会 中国科学院半导体研究所
  • 主编:李树深
  • 地址:北京912信箱
  • 邮编:100083
  • 邮箱:cjs@semi.ac.cn
  • 电话:010-82304277
  • 国际标准刊号:ISSN:1674-4926
  • 国内统一刊号:ISSN:11-5781/TN
  • 邮发代号:2-184
  • 获奖情况:
  • 90年获中科院优秀期刊二等奖,92年获国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署...,97年国家科委、中共中央中宣传部和国家新出版署三等奖,中国期刊方阵“双效”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘(网络版),荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),英国英国皇家化学学会文摘,中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:7754