位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
InGaAs/GaAsP/GaInP quantum well lasers with window structure fabricated by impurity free vacancy dis
  • ISSN号：0038-1101
  • 期刊名称：Solid-State Electronics
  • 时间：2013
  • 页码：81-84
  • 相关项目：一种基于波导界面反射的集成MOPA大功率半导体激光器
作者： Xin Gao|Liuyang Xu|Zhongliang Qiao|baoxue Bo|
同期刊论文项目
一种基于波导界面反射的集成MOPA大功率半导体激光器
期刊论文 48 会议论文 8
同项目期刊论文
湿法表面粗化提高倒装AlGaInP LED外量子效率
基于无杂质空位混杂法制备带有无吸收窗口的940nm GaInP/GaAsP/GaInAs半导体激光器研究
Optical Analysis and Optimization of Lossless andLossy Distributed Bragg Reflector Using Transfer Ma
氩、氢混合等离子体处理对GaAs表面性质及发光特性的影响
溅射ZnO薄膜钝化GaAs表面性能的研究
热沉尺寸对半导体激光器有源区温度的影响
基于ZEMAX高功率半导体激光器光纤耦合设计
带有多环耦合结构的环形半导体激光器
The Research of Controlling Constant Temperature forSemiconductor Laser Diodes
利用石墨烯掺杂在NPB中的OLED性能研究
基于mini-bar的千瓦级光纤耦合模块
百瓦级多芯片半导体激光器稳态热分析
基于腔面非注入区的半导体激光器的热特性分析
GaAs表面硫钝化工艺新研究
1.06μm InGaAs/InGaAsP量子阱半导体激光器的温度特性
Influence of sputtering pressure on optical constants of a-GaAs1-xNx thin films
射频等离子硫钝化GaAs（100）的表面特性
GaAs半导体表面的等离子氮钝化特性研究
C-mount封装激光器热特性分析与热沉结构优化研究
电注入椭圆微腔半导体激光器热特性分析
基于单发光区芯片的大功率光纤耦合激光器的输出远场特征分析
无损耗型及损耗型分布布拉格反射镜光学特性的传输矩阵理论分析及优化
GaAs半导体表面的S-N混合等离子体钝化及在激光器工艺上的应用
石墨烯掺杂Cs2CO3作为高效电子注入层的OLEDs性能研究