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Study of （Ga, Mn）N prepared by Mn-ion implantation using optical techniques
  • ISSN号：1674-1056
  • 期刊名称：《中国物理B：英文版》
  • 时间：0
  • 分类：O47[理学—半导体物理;理学—物理]
  • 作者机构：[1]Key Laboratory of Ministry of Education for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Mieroeleetronics, Xidian University, Xi'an 710071, China
  • 相关基金：Project supported by the National Natural Science Foundation of China （Grant No 90407014）. The authors thank Chen Feng-En of Tsinghua University for carrying out the Raman spectra measurements, and also thank Xu Jia-Dong of Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences for the Mn ion implantation.
作者： 徐大庆[1], 张义门[1], 张玉明[1], 李培咸[1], 王超[1], 吕红亮[1], 汤晓燕[1], 王悦湖[1]
关键词： 高能离子注入, GAN, 理论物理, 铁磁性半导体, Mn-ion implantation GaN, diluted magnetic semiconductors, Raman spectroscopy, x- ray diffraction
中文摘要：

Corresponding author. E-mail： dqxu@mail.xidian.edu.cn

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期刊信息
  • 《中国物理B：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国物理学会和中国科学院物理研究所
  • 主编：欧阳钟灿
  • 地址：北京 中关村 中国科学院物理研究所内
  • 邮编：100080
  • 邮箱：
  • 电话：010-82649026 82649519
  • 国际标准刊号：ISSN：1674-1056
  • 国内统一刊号：ISSN：11-5639/O4
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  • 国内外数据库收录:
  • 被引量:406