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场终止型IGBT基区掺杂浓度计算的新方法
  • 期刊名称:半导体技术
  • 时间:0
  • 页码:217-220
  • 语言:中文
  • 分类:TN304[电子电信—物理电子学] TN386[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构:[1]海军工程大学电力电子技术研究所,武汉430033
  • 相关基金:国家自然科学基金重点项目(50737004);国家自然科学基金资助项目(50607020)
  • 相关项目:大容量特种高性能电力电子系统理论与关键技术研究
中文摘要:

基于场终止型IGBT的结构特点与工作机理,提出了一种通过提取IGBT拖尾电流计算基区掺杂浓度新方法,该方法针对已有商用器件只需测试端口电气参数而无需破坏性实验,具有易操作、准确性高的特点。最后分析了一般硬开关和附加吸收电路对IGBT关断拖尾电流测试的影响,提出一种新的测试电路并进行了拖尾电流提取实验,同时也验证了该方法的准确性。

英文摘要:

Base on the structure characteristic and work principle of filed stop IGBT, a new way was put forward to calculate the base doping concentration by extracting current-tail. This way aims at existed commercial devices and only tests the ports electric characteristic without devastating experiments, easy operating and having high veracity. At last, the influence of common hard switch and snubber circuit on the test of IGBT turn-off tail current was analyzed. And a new circuit for testing of tail current was given, at the same time, the accuracy of this method was proved.

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