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金属预置层后硒化法制备CIGS薄膜的研究进展
  • ISSN号：1002-185X
  • 期刊名称：《稀有金属材料与工程》
  • 时间：0
  • 分类：TB7[一般工业技术—真空技术] TK9[动力工程及工程热物理]
  • 作者机构：[1]电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川成都610054, [2]浙江大学硅材料国家重点实验室,浙江杭州310027
  • 相关基金：基金项目：国家自然科学基金（21073029,51102039,51211140045）;新世纪优秀人才支持计划（NCET-10-0296）;西部之光人才培养计划联合学者项目（LHXZ200902）;中国博士后科学基金（20100481375,201104640）;中央高校基本科研业务费（103.1.2E022050205）
作者： 王影[1], 周爱军[1,2], 戴新义[1], 冯利东[1], 徐晓辉[1], 杜敬芳[1], 李晶泽[1]
关键词： 金属预置层, 硒化, CIGS, 薄膜太阳电池, 光吸收层, metal precursor, selenization, Cu（In, Ga）Se2 （CIGS）, thin film solar cell, light absorber layer
中文摘要：

系统综述了国内外采用金属预置层后硒化法制备Cu（In，Ga）Se2（CIGS）薄膜的研究进展，重点从预置层制备过程中靶材的选择、叠层方式以及后硒化过程中硒源种类和硒化方式的选择等几个方面对各种工艺的优点、存在的问题和可能的解决方案进行讨论，并对金属预置层后硒化法的发展前景和趋势进行了展望。

英文摘要：

This paper reviewed the recent development of the Cu（In, Ga）Se2 （CIGS） layer in terms structures of the as-deposited metallic precursors, the Se-sources and selenization techniques for the problems and possible solutions of each technique involved were discussed. of the target sources and the layer post-selenization. The advantages,

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期刊信息
  • 《稀有金属材料与工程》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学技术协会
  • 主办单位:中国有色金属学会 中国材料研究学会 西北有色金属研究院
  • 主编：张平祥
  • 地址：西安市51号信箱
  • 邮编：710016
  • 邮箱：RMME@c-nin.com
  • 电话：029-86231117
  • 国际标准刊号：ISSN：1002-185X
  • 国内统一刊号：ISSN：61-1154/TG
  • 邮发代号:52-172
  • 获奖情况:
  • 首届国家期刊奖,中国优秀期刊一等奖,中国有色金属工业优秀期刊1等奖
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国科学引文索引（扩展库）,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:24715