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A Charge-Trap Memory Device with a Composition-Modulated Zr-Silicate High-k Dielectric Multilayer St
  • ISSN号：0256-307X
  • 期刊名称：Chinese Physics Letters
  • 时间：0
  • 页码：-
  • 相关项目：多元氧化物高介电系数介质材料在电荷存储器件中的应用研究
作者： Lv Shi-Cheng|Ge Zhong-Yang|Zhou Yue|Xu Bo|Gao Li-Gang|Yin Jiang|Xia Yi-Dong|Liu Zhi-Guo|
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多元氧化物高介电系数介质材料在电荷存储器件中的应用研究
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期刊信息
  • 《中国物理快报：英文版》
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  • 国际标准刊号：ISSN：0256-307X
  • 国内统一刊号：ISSN：11-1959/O4
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  • 获奖情况:
  • 中国期刊方阵“双高”期刊
  • 国内外数据库收录:
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