III族氮化物半导体是性能优越的半导体材料,在光电子器件方面已有重要的应用,特别是InN具有较小的有效电子质量,较高的室温电子迁移率以及具有半导体中最高的饱和电子漂移速度,被认为在低损耗高效电池及特殊探测器方面具有巨大的应用前景,这就引起了人们越来越多的关注.然而,几乎所有直接生长的InN薄膜都是”型的,薄膜中氧含量相当高,氧含量最高接近10%,体材料被严重污染.近年来,自从San—droff发现通过S对GaAs(001)进行简单的化学处理以后,使GaAs表面的电子性质得到了很大的改善.