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开关频率500kHz的软开关SiC单相逆变器
  • ISSN号:1000-100X
  • 期刊名称:《电力电子技术》
  • 时间:0
  • 分类:TM464[电气工程—电器]
  • 作者机构:浙江大学,浙江杭州310027
  • 相关基金:国家自然科学基金(51277163,51337009)
中文摘要:

高频化是提升并网逆变器功率密度的有效途径。SiC MOSFET适用于高频化的应用场合,同时采用软开关技术可维持高转换效率。设计了一台500kHz零电压开关(ZVS)SiC单相并网逆变器。重点介绍了谐振参数的选取、谐振电感与滤波电感的设计,并在1.5kW实验模型上进行了验证。实验证明在开关频率为500kHz时,依靠SiC MOSFET自身的结电容可完成谐振,实现ZVS开通。500kHz下的滤波电感比100kHz下的滤波电感体积减小约4/5,满载效率为97.9%。

英文摘要:

High-frequency is an effective way to increase power density of grid-tied inverters.SiC MOSFET is appropri- ate to be utilized in high frequency applications, meanwhile the use of soft-switching technique can keep a high con- version effieiency.A 500 kHz zero voltage switeh(ZVS) SiC full-bridge inverter is designed.The selection of resonant parameters, the design of resonant inductor and filter inductors are focused on, and the verification by experiments is carried out over a 1.5 kW platform.It's proved that at 500 kHz, the resonance process can be aroused and ZVS con- dition can be realized just by utilizing junction capacitor of SiC MOSFET itself.The volume of 500 kHz filter is about 4/5 smaller than that of 100 kHz, meanwhile the efficiency under full load is 97.9%.

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期刊信息
  • 《电力电子技术》
  • 北大核心期刊(2011版)
  • 主管单位:西安电力电子技术研究所
  • 主办单位:西安电力电子技术研究所
  • 主编:吕庆敏
  • 地址:西安市朱雀大街94号
  • 邮编:710061
  • 邮箱:dldzjstg@163.com
  • 电话:029-85271823
  • 国际标准刊号:ISSN:1000-100X
  • 国内统一刊号:ISSN:61-1124/TM
  • 邮发代号:52-44
  • 获奖情况:
  • 获全国优秀科技期刊,获机械工业部科技期刊一等奖,获陕西省科技期刊一等奖
  • 国内外数据库收录:
  • 波兰哥白尼索引,美国剑桥科学文摘,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:16331