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掺镧BiFeO_3薄膜的制备及光伏特性研究
  • ISSN号:1000-324X
  • 期刊名称:《无机材料学报》
  • 时间:0
  • 分类:TB34[一般工业技术—材料科学与工程]
  • 作者机构:[1]上海交通大学材料科学与工程学院,金属基复合材料国家重点实验室,上海200240
  • 相关基金:国家自然科学基金(11074165)
中文摘要:

采用溶胶–凝胶法,用乙二醇甲醚作溶剂溶解Bi(NO3)3、Fe(NO3)3和La(NO3)3制备前体溶液,通过化学溶液沉积法在FTO导电玻璃基板上合成La3+掺杂的BiFeO3(BFO)薄膜,并研究了La3+掺杂对BiFeO3的能带及其光伏性能的影响。BiFeO3薄膜呈多晶钙钛矿结构,且随着La3+掺杂量的增加,BiFeO3的晶格常数依次递减。掺杂10%La3+的BiFeO3的能隙比未掺杂时稍有减小,为2.71 eV,随着La3+掺杂量的增加,BiFeO3的能隙增加到2.76 eV。采用改良法制备的La3+的掺杂量为10%的BiFeO3薄膜的最大开路电压为0.4 V,具有良好的光伏性能。

英文摘要:

The La3+ doped BiFeO3(BFO) thin films were fabricated by Sol-Gel method.The precursor solution was synthesized by dissolving Bi(NO3)3,Fe(NO3)3 and La(NO3)3 in 2-methoxyethanol and BiFeO3 thin films were grown by chemical solution deposition on fluorine doped tin oxide(FTO) glass substrate.The influence of La3+ doping on the band gap and photovoltaic properties of BiFeO3 was studied.The BiFeO3 thin films exhibited polycrystalline-phase perovskite structure.The lattice parameter of BiFeO3decreased with La3+ addition increasing.The band gap of BiFeO3 doped with 10% La3+ doping was 2.71 eV,a little smaller than that of the undoped one.The bandgap of BiFeO3 increased to 2.76 eV with the increase of La3+ doping.The maximal open circuit voltage of 10% La3+-doped BiFeO3 prepared by modified method reached 0.4 V,showing good photovoltaic properties.

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期刊信息
  • 《无机材料学报》
  • 北大核心期刊(2011版)
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国科学院上海硅酸盐所
  • 主编:郭景坤
  • 地址:上海市定西路1295号
  • 邮编:200050
  • 邮箱:wjclxb@mail.sic.ac.cn
  • 电话:021-52411302
  • 国际标准刊号:ISSN:1000-324X
  • 国内统一刊号:ISSN:31-1363/TQ
  • 邮发代号:4-504
  • 获奖情况:
  • 获"中国百种杰出学术期刊"称号
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘(网络版),荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国剑桥科学文摘,美国科学引文索引(扩展库),日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),瑞典开放获取期刊指南,中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:21274