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中文摘要：
采用原子层沉积技术与改进的Al掺杂模式在石英玻璃基体上低温制备AZO 薄膜,利用椭圆偏振仪、原子力显微镜、X 射线衍射仪、X 射线光电子能谱仪、Hall效应测试仪系统地对样品的生长速率、表面形貌、晶体结构、薄膜成分与电学性能进行了表征和分析.结果表明,采用原子层沉积在150 ℃下制备AZO薄膜,其为六方纤锌矿结构,Al掺杂对ZnO 的（002）有明显的抑制作用,Al在基体中弥散分布,其部分替换ZnO 晶格中的Zn,以Al-O 的形式存在于晶体中,晶体中存在大量的氧空位,最佳铝锌循环比为1∶19,此条件下AZO 薄膜电阻率为4.61×10^-4 Ω？？cm.
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