位置:成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
Gd@C82Langmuir—Blodgett纳米薄膜的表面微观结构
  • ISSN号:1812-1918
  • 期刊名称:《纳米科技》
  • 时间:0
  • 分类:TB383[一般工业技术—材料科学与工程]
  • 作者机构:[1]西南科技大学四川省非金属复合与功能材料重点实验室-省部共建国家重点实验室培育基地,四川绵阳621010
  • 相关基金:基金项目:国家863计划项目(2007AA032329),国家自然科学基金项目(10876031,50972122).中国工程物理研究院激光聚变研究所协作项目(06zh1145,07zh0224),北京分子科学国家实验室开放课题基金项目
中文摘要:

采用Langmuir—Blodgett(LB)技术在新解理的云母和氧化铟锡(ITO)基片上成功地制备出富勒烯金属包合物Gd@C82/SA的单层及多.UrLangrnuir—Blodgett分子薄膜,采用原子力显微镜(AFM)和x射线光电子能谱(XPS)对所制备纳米超分子薄膜的表面形貌和表面元素组成进行了系统研究,结果表明,与纯的Gd@C82 Langmuir薄膜相比,以硬脂酸(SA)为辅助成膜材料所得到的Gd@C82/SA复合Langmuir薄膜能更好地转移到云母和ITO基片表面,其镀膜转移比接近1,当硬脂酸(SA)与Gd@C82的摩尔比达到4:1时,所对应的Gd@C82/SALB薄膜表现出良好的均一性和理想的层状结构。

英文摘要:

Monolayer Langmuir-Blodgett (LB) films of metallofullerene Gd@C82 mixed with stearic acid (Gd@C82/SA) were deposited onto mica and ITO suhstrates from the air/water interface. The surface microstructure characteristics of the films were studied by atomic force microscopy (AFM) and X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS). The results showed that the Gd@C82 Langmuir Blodgett (LB) fihns with SA were easily fabricated by the vertical dipping method compared to the pure Gd@C82 film. When the molar ratio of SA: Gd@C82 was reached to 4:1, the corresponding LB films exhibited a uniform and ordered layer structure.

同期刊论文项目
同项目期刊论文
期刊信息
  • 《纳米科技》
  • 主管单位:陕西省科学技术协会
  • 主办单位:西安纳米科技学会 陕西省电子学会纳米科技学会 西安纳米学会 陕西省电子学会纳米技术专业委员会
  • 主编:徐友龙
  • 地址:西安市科技路37号海星城市广场B座24层
  • 邮编:710075
  • 邮箱:namikeji2013@163.com
  • 电话:029-88153782
  • 国际标准刊号:ISSN:1812-1918
  • 国内统一刊号:ISSN:
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 国内外数据库收录:
  • 被引量:857