欢迎您!
东篱公司
退出
申报数据库
申报指南
立项数据库
成果数据库
期刊论文
会议论文
著 作
专 利
项目获奖数据库
位置:
成果数据库
>
期刊
> 期刊详情页
Electronic properties and chemical trends of the arsenic in situ impurities in Hg1-xCdxTe: First-pri
时间:0
相关项目:铁磁半导体异质结构自旋相关性质的第一性原理研究
同期刊论文项目
铁磁半导体异质结构自旋相关性质的第一性原理研究
期刊论文 17
会议论文 5
著作 1
同项目期刊论文
Systematic study on the spacer-dependent magnetic properties of Mn delta-doped GaAs/(Ga, Mn) As ferr
红外光电子材料的电子结构和掺杂的第一性原理研究
Strong focusing properties and far-field focus in the two-dimensional photonic-crystal-based concave
Structure and electronic properties of medium-sized GanNn clusters (n = 4–12)
半导体场效应晶体管器件的量子和热电子效应的研究
微电子学与固体电子学,硅基表面砷钝化及碲化镉材料外延的第一性原理研究
Demonstration and dynamic analysis of trapping of hot electron at gate edges model for current colla
A novel photoluminescence transition influenced by O implantation in ZnO bulk
Composition-dependent electronic properties, optical transitions, and anionic relaxations of Cd1-xZn
Structural transition of hexagonal tube to rocksalt for (MgO)(3n), 2 <= n <= 10
First-principles study of arsenic impurity usters in molecular beam epitaxy (MBE) grown HgCdTe,
吸收层特性和异质结界面电荷对12.5μm长波HgCdTe光伏探测器响应率的影响研究
空穴在动量空间分布对p型量子阱红外探测器响应光谱的影响
亚50nm自对准双栅场效应晶体管的量子和短沟道效应的研究