采用真空蒸镀法制备了结构为ITO/NPB(20nm)/CBP(3nm)/CBP∶Ir(piq)3(z%,xnm)/TPBi(10nm)/Alq3(20nm)/Cs2CO3∶Ag2O(2nm,20%)/Al(100nm)的器件。研究了掺杂浓度和厚度对器件性能的影响。首先选定Ir(piq)3∶CBP层的厚度为5nm,调节掺杂浓度。结果是当掺杂浓度为10%时,器件的效率和亮度较好;驱动电压为16V时,最大亮度为8 810cd/m2。然后在10%的掺杂浓度下,调节CBP∶Ir(piq)3层的厚度。当厚度为20nm时,器件的性能较好。驱动电压为12V时,电流密度为193mA/cm2,效率为11.92cd/A;驱动电压为19V时,电流密度为302.45mA/cm2,亮度为10 990cd/m2。无论在何种浓度和厚度下,器件的色坐标都在红光范围内。