欢迎您!
东篱公司
退出
申报数据库
申报指南
立项数据库
成果数据库
期刊论文
会议论文
著 作
专 利
项目获奖数据库
位置:
成果数据库
>
期刊
> 期刊详情页
High Beam Quality of In-Phase Coherent Coupling2-D VCSEL Arrays Based on Proton-Implantation
ISSN号:1041-1135
期刊名称:IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS
时间:2014.2
页码:395-397
相关项目:蓝宝石图形衬底上MOCVD定向控制生长半极性(11-22)GaN研究
作者:
Ming-Ming Mao|Chen Xu|Qiang Kan|
同期刊论文项目
蓝宝石图形衬底上MOCVD定向控制生长半极性(11-22)GaN研究
期刊论文 43
同项目期刊论文
AL组分对MOCVD制备的AlxGa1-xN/AlN/GaN HEMT电学和结构性质的影响
Implant-Defined 3×3 In-Phase Coherently Coupled Vertical Cavity Surface Emitting Lasers Array
掺Fe高阻GaN缓冲层特性及其对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件的影响研究
AlN隔离层对MOCVD制备的AlGaN/AlN/GaN HEMT材料电学性质的影响
外延在蓝宝石衬底上的非掺杂GaN研究
GaN薄膜电子声成像和电子背散射衍射研究
AlN缓冲层对Si基GaN外延薄薄膜性质的影响
AlN隔离层生长时间对AlGaN/AlN/GaN HEMT材料电学性质的影响
Different structural origins for different sized surface pitsobserved on a-plane GaN film
掺Fe高阻GaN缓冲层特性及其对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件的影响研
H_2载气流量对AlN缓冲层生长的影响
掺C高阻GaN的MOCVD外延生长
AlN隔离层生长时间对AlGaN/AlN/GaN HEMT材料电学性能的影响
AlN隔离层对MOCVD制备的AlGaN/AlN/GaNHEMT材料电学性质的影响
AlN缓冲层对Si基GaN外延薄膜性质的影响
Ag/Au与n-ZnO的欧姆接触特性的研究
高阻GaN的MOCVD外延生长
质子注入型光子晶体垂直腔面发射激光器制备
低阈值852nm半导体激光器的温度特性
低阈值单横模852nm半导体激光器
Al组分对MOCVD制备的AlxGa1-xN/AlN/GaNHEMT电学和结构性质的影响
980nm垂直腔面发射激光器的外延生长
重掺杂n型GaN材料特性研究
980nm大功率半导体激光器的MOCVD外延生长条件优化
低源流量Delta掺杂p型GaN外延薄膜的研究
反应离子刻蚀损伤对4H-SiC肖特基二极管性能的影响
退火对Ge掺杂SiO2薄膜的影响
MOCVD生长双波长发光二极管
石墨烯/NiAu复合透明导电层在GaN LED的应用