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First-principles prediction of graphene/SnO2 heterostructure as a promising candidate for FET.
  • ISSN号:2046-2069
  • 期刊名称:RSC Advances
  • 时间:2015.4.10
  • 页码:35377-35383
  • 相关项目:SnO2低维纳米结构的设计、合成与光电性质研究
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