运用Gaussian98程序,在密度泛函理论(DFT)B3LYP/6.311+(d,P)水平下,对十一种芳香族含能材料(见表1)进行了几何全优化。在此基础上,首次运用核独立化学位移(NICS)的概念,采用标准的GIAO程序在B3LYP/6.311++G(d,P)水平计算了这十一种化合物中心的NICS值,记作NICS(0),结果表明撞击感度H50的对数和NICS(0)与零点校正能E的乘积NICS(0)×E的对数有很好的线性关系。