中文摘要：

无论在基础研究方面，还是在高技术应用方面，电子轰击原子的内壳电离截面都具有重要意义．目前电子轰击元素K和L壳层电离截面的测量多采用薄靶或气体靶，气体靶仅限于少数气体元素，而薄靶又因制靶的困难使测量工作难于开展．为了解决这些难题，提出在厚衬底上镀薄膜的新方法来测量元素内壳电离截面．用薄靶厚衬底技术测量了电子碰撞引起的元素钬和锇L壳分产生截面、总产生截面和平均电离截面，电子能量从阈能附近到36keV．同时，采用电子输运双群模型对衬底反射电子的影响作修正，并把实验结果与Gryzinski和McGuire的两个理论计算结果进行比较．