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半绝缘GaAs光电导开关散射机制的比较
  • ISSN号:1003-353X
  • 期刊名称:《半导体技术》
  • 时间:0
  • 分类:O561.1[理学—原子与分子物理;理学—物理]
  • 作者机构:[1]西安理工大学理学院,西安710048
  • 相关基金:国家重大基础研究专项基金(2004CCA04500G);国家自然科学基金(10390160,10376025,50477011);西安理工大学创新基金(108-210705)
中文摘要:

利用密度泛函理论(DFT)对GamAsn(m=1,2;n=1-5)团簇的几何结构及稳定性进行了研究.在B3LYP/6-31G^*水平上进行了结构优化和频率分析,得到了GamAsn(m=1,2;n=1-5)团簇的基态和亚稳态结构.结果表明,在GamAsn(m=1,2;n=1-5)团簇中,团簇的稳定性随着总原子数的增多而增大;总原子数相同的团簇,As原子多的团簇比Ga原子多的团簇稳定;最高占据轨道(HOMO)和最低空轨道(LUMO)的能级差(Egap)随As原子数的增加而变化,且大体呈现奇偶交替变化规律;原子间的振动频率均在太赫兹频段,为GaAs团簇纳米材料的太赫兹电磁波检测和太赫兹电磁波辐射提供了依据.

英文摘要:

Geometric structures and stability of GamAsn (m = 1,2;n = 1- 5) dusters have been studied using the density functional theory (DFT). Structural optimization and frequency analysis were carried out at the B3LYP/6-31G^* level. All ground state structures and meta-stable state structures of GamAsn ( m = 1,2; n = 1 5) clusters have been obtained. Our calculations reveal the stability of GamAsn ( m = 1,2 ; n = 1 - 5) clusters tends to increase with the increase of the number of total atoms. As-rich clusters are more stable than Ga-rich clusters generally among clusters with the same total atoms. The energy gap Egap between the highest-occupied molecular orbital (HOMO) and the lowest-unoccupied molecular orbital (LUMO) ,which depend on composition of the clusters and show an even/odd alteration with the number of As atoms in the cluster. All vibrating frequencies Gam Asn (m = 1,2;n = 1 - 5) clusters are frequencies of the terahertz wave band, this result will provide the further ideas for detection and radiation of terahertz wave for this material.

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期刊信息
  • 《半导体技术》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国电子科技集团公司
  • 主办单位:中国电子科技集团公司第十三研究所
  • 主编:赵小玲
  • 地址:石家庄179信箱46分箱
  • 邮编:050051
  • 邮箱:informax@heinfo.net
  • 电话:0311-87091339
  • 国际标准刊号:ISSN:1003-353X
  • 国内统一刊号:ISSN:13-1109/TN
  • 邮发代号:18-65
  • 获奖情况:
  • 中文核心期刊,中国科技论文统计用刊
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘(网络版),美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),中国北大核心期刊(2000版)
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