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pMOS 器件直流应力负偏置温度不稳定性效应随器件基本参数变化的分析
ISSN号:1000-3290
期刊名称:Acta Physica Sinica
时间:0
页码:-
相关项目:超薄SOI材料中Si纳米团簇的形成、表征和抗辐射机理研究
作者:
曹建民|贺威|黄思文|张旭琳|
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期刊信息
《物理学报》
北大核心期刊(2011版)
主管单位:中国科学院
主办单位:中国物理学会 中国科学院物理研究所
主编:欧阳钟灿
地址:北京603信箱(中国科学院物理研究所)
邮编:100190
邮箱:apsoffice@iphy.ac.cn
电话:010-82649026
国际标准刊号:ISSN:1000-3290
国内统一刊号:ISSN:11-1958/O4
邮发代号:2-425
获奖情况:
1999年首届国家期刊奖,2000年中科院优秀期刊特等奖,2001年科技期刊最高方阵队双高期刊居中国期刊第12位
国内外数据库收录:
美国化学文摘(网络版),荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国科学引文索引(扩展库),英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),中国北大核心期刊(2000版)
被引量:49876