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中文摘要：
应用第一性原理DFT（密度泛函理论）研究了具有（1×1）和（2×1）对称性的SnO2（110）氧化表面、还原表面和缺陷表面的几何结构与电子结构,重点分析了表面氧空穴（O vacancy）对表面电子结构的影响以及对气体分子吸附的影响。研究结果表明,由于表面空穴的存在,SnO2（110）表面能隙中都出现了明显的表面态,由于表面氧的流失而留下来的电荷是产生这些表面态的主要原因,这些电荷主要集中在Sn上和附近的空穴中,与这些电荷相关的轨道是氧化物表面吸附研究的关键。
英文摘要：
Calculation on electrical structure of SnO2 （110） surface of （ 1 × 1 ） and （2× 1 ） symmetry with first principle DFT （density functional theory） is performed. The effect of O vacancies on surface electronic structure and future adsorption is emphasized. Due to the exist of the O vacancies, the surface state originating from the electron left by the removal of oxygen appeared at the band gap, these electrons located on the top of tin atoms and O vacancies, and the orbitals associating with these electrons were considered to be the potential site where adsorption would take place.
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