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两步法制备性能优良的ZnO纳米线
  • 期刊名称:华东师范大学学报(自然科学版),No.3,(2007)135-140.
  • 时间:0
  • 分类:TN401[电子电信—微电子学与固体电子学]
  • 作者机构:[1]华东师范大学电子科学技术系,上海200062, [2]洛阳工业高等专科学校计算机系,河南洛阳471003
  • 相关基金:国家自然科学基金项目(60476004);河南省自然科学基金项目(0611023800)
  • 相关项目:基于硅衬底的低温定向生长ZnO纳米线阵列及其场发射研究
中文摘要:

利用热蒸发和溶液浸泡两步法制备了性能优良的ZnO纳米线,研究了这些ZnO纳米线的光致发光和场发射特性.与直接采用热蒸发方法生长的ZnO纳米线相比,由该方法得到的ZO纳米线表现出了更好的紫外发光特性,同时发生5nm的蓝移,场发射测试表明其开启电场和阈值电场分别达到2.3V/μm和6.8V/μm.该方法适用于制备光致发光和场发射性能优良的ZnO纳米线.

英文摘要:

ZnO nanowires with excellent properties were synthesized by two-step method. Photoluminescence (PL) measurements showed that the ZnO nanowires have stronger ultraviolet emission properties at 376 nm and there is a 5 nm blue-shift after being immersed in thiourea (TU) solution compared with those of without immersion. The immersed ZnO nanowires show a turn-on field of 2.3 V/μm at a current density of 0.1 μA/cm^2 and emission current density up to 1 mA/cm^2 at an applied field of 6.8 V/μm, which are 2.7 V/μm and 7. 9 V/μm for those of without being immersed, respectively. So this method may be an effective method to improve the characteristics of ZnO nanowires.

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