利用基于全相对论组态相互作用理论的Flexible Atomic Code (FAC)程序包,详细研究了Sn5离子的双电子复合(DR)过程.通过比较不同壳层电子激发的DR速率系数,得知4d,4p壳层电子激发是主要的DR通道.计算得到了俘获电子至不同壳层n的总DR速率系数,并外推到了n=100.