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Electrical characterization of back-gated bi-layer MoS2 field-effect transistorsand the effect of am
  • ISSN号:0003-6951
  • 期刊名称:Applied Physics Letters
  • 时间:2012
  • 页码:123104-123106
  • 相关项目:金属复合纳米结构的表面等离激元调控与杂化效应及拉曼增强特性研究
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