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室温铁磁性GaN:Cr薄膜的性质研究
  • ISSN号：1001-9731
  • 期刊名称：《功能材料》
  • 时间：0
  • 分类：TN304.7[电子电信—物理电子学] TN304.054[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构：中国科学院半导体所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083 中国科学院半导体所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083 中国科学院半导体所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083, 中国科学院力学研究所,国家微重力实验室,北京,100080 中国科学院半导体所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083 中国科学院半导体所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083 中国科学院半导体所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083
  • 相关基金：国家自然科学基金资助项目(60176001);国家重大基础研究计划项目资助(G20000365和G2002CB311905)
作者： 刘志凯, 宋书林, 陈诺夫, 尹志岗, 柴春林, 杨少延
关键词： 氮化镓, 磁性半导体, 铁磁性转变温度
中文摘要：

采用高能离子注入的方式,在GaN衬底中掺杂引入Cr离子制备了磁性半导体.借助于X射线衍射仪(XRD)进行了注入前后结构的对比分析,没有发现新的衍射峰,并运用高分辨率X射线衍射仪(HR-XRD)分析了Mn离子注入后衬底(0002)峰的微小变化.根据原子力显微镜的结果,发现注入后的样品表面起伏比较大,发生明显的变化.通过使用超导量子干涉仪SQUID进行变温分析,在所分析的10～300K范围内,磁化强度变化幅度较小,样品在室温条件下仍然保持铁磁性.

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期刊信息
  • 《功能材料》
  • 北大核心期刊（2011版）
  • 主管单位:重庆材料研究院
  • 主办单位:重庆材料研究院
  • 主编：黄伯云
  • 地址：重庆北碚区蔡家工业园嘉德大道8号
  • 邮编：400707
  • 邮箱：gnclwb@126.com
  • 电话：023-68264739
  • 国际标准刊号：ISSN：1001-9731
  • 国内统一刊号：ISSN：50-1099/TH
  • 邮发代号:78-6
  • 获奖情况:
  • 2008、2011年连续获中国精品科技期刊,2010获重庆市双十佳期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,英国英国皇家化学学会文摘,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:30166