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Investigation on memory effect of MOS capacitors with Al-2 O-3/Pt-nanocrystals/HfO2
  • ISSN号：1000-3290
  • 期刊名称：物理学报
  • 时间：0
  • 页码：2057-2063
  • 语言：中文
  • 相关项目：原子层淀积高介电常数栅介质的界面层抑制和性能调控
作者： Gou Hong-Yan|Liao Zhong-Wei|Ding Shi-Jin|Sun Qing-Qing|Huang Yue|Zhang Wei|
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原子层淀积高介电常数栅介质的界面层抑制和性能调控
期刊论文 27
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期刊信息
  • 《物理学报》
  • 北大核心期刊（2011版）
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国物理学会 中国科学院物理研究所
  • 主编：欧阳钟灿
  • 地址：北京603信箱(中国科学院物理研究所)
  • 邮编：100190
  • 邮箱：apsoffice@iphy.ac.cn
  • 电话：010-82649026
  • 国际标准刊号：ISSN：1000-3290
  • 国内统一刊号：ISSN：11-1958/O4
  • 邮发代号:2-425
  • 获奖情况:
  • 1999年首届国家期刊奖,2000年中科院优秀期刊特等奖,2001年科技期刊最高方阵队双高期刊居中国期刊第12位
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国科学引文索引（扩展库）,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:49876