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Enhancement of band-to-band tunneling in mono-layer transition metal dichalcogenides two-dimensional
  • ISSN号：0003-6951
  • 期刊名称：Applied Physics Letters
  • 时间：2014.1.13
  • 页码：-
  • 相关项目：GaN基高电子迁移率器件的量子力学模拟研究
作者： Jiang, Xiang-Wei|Gong, Jian|Xu, Nuo|Li, Shu-Shen|Zhang, Jinfeng|Hao, Yue|Wang, Lin-Wang|
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